时间：2024/8/20 16:34:02
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这些器件是使用SuperMESH?5技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的雪崩坚固型高压功率MOSFET技术基于创新的专有垂直结构。其结果是，对于需要高功率密度和高效率的应用，导通电阻和超低栅极电荷急剧降低。
DPAK 950 V全球最佳RDS（开启）
全球最佳FOM（品质因数）
超低栅极电荷
100%雪崩测试
齐纳保护
切换应用程序
针脚数：3
漏源极电阻：1Ω
极性：N-CH
耗散功率：25 W
阈值电压：4 V
漏源极电压(Vds)：950 V
连续漏极电流(Ids)：9A
上升时间：12 ns
输入电容(Ciss)：450pF 100V(Vds)
额定功率(Max)：25 W
下降时间：1 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：25W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.4 mm
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
