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STF6N65K3 发布时间 时间:2025/6/6 18:47:57 查看 阅读:4

STF6N65K3是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有高耐压和低导通电阻的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
  STF6N65K3属于第三代快速恢复功率MOSFET系列,其优化的芯片设计确保了在高频开关应用中的高效性能。此外,它还具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):1.9Ω
  栅极电荷:18nC
  总电容:45pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

STF6N65K3具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压(650V),适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗。
  3. 快速恢复能力,确保高频开关应用中的高效性能。
  4. 小巧的TO-220封装形式,便于安装和散热管理。
  5. 工作温度范围宽广(-55℃至+175℃),适应各种恶劣环境。
  6. 内部集成保护二极管,增强了器件的可靠性。

应用

STF6N65K3广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载切换
  5. 逆变器
  6. 电磁阀控制
  7. 各类工业自动化设备中的功率控制模块

替代型号

STF6N65K4, IRF640, FQP06N65C

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STF6N65K3参数

  • 其它有关文件STF6N65K3 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH3™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.3 欧姆 @ 2.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds880pF @ 50V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-12424