时间：2025/6/6 18:47:57
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STF6N65K3是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有高耐压和低导通电阻的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
STF6N65K3属于第三代快速恢复功率MOSFET系列，其优化的芯片设计确保了在高频开关应用中的高效性能。此外，它还具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：6A
导通电阻（典型值）：1.9Ω
栅极电荷：18nC
总电容：45pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
STF6N65K3具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗。
3. 快速恢复能力，确保高频开关应用中的高效性能。
4. 小巧的TO-220封装形式，便于安装和散热管理。
5. 工作温度范围宽广（-55℃至+175℃），适应各种恶劣环境。
6. 内部集成保护二极管，增强了器件的可靠性。
STF6N65K3广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载切换
5. 逆变器
6. 电磁阀控制
7. 各类工业自动化设备中的功率控制模块
STF6N65K4, IRF640, FQP06N65C
