时间：2025/5/22 11:29:06
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GA0603H103MXXAC31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高功率射频应用设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，具有出色的效率和增益性能，能够在高频条件下保持稳定运行。其主要应用于通信系统、雷达、卫星通信等领域。
型号：GA0603H103MXXAC31G
类型：GaN HEMT
工作频率范围：3 GHz 至 6 GHz
输出功率：50 W
增益：12 dB
效率：大于 65%
供电电压：28 V
封装形式：陶瓷气密封装
工作温度范围：-40℃ 至 +100℃
GA0603H103MXXAC31G 的主要特性包括高输出功率、高效率和宽带宽支持。该器件利用氮化镓材料的优异性能，在高频应用中表现出色。此外，它具备良好的热稳定性，能够适应苛刻的工作环境。
由于采用了先进的半导体工艺，此器件在高频条件下依然可以提供稳定的增益和线性度，非常适合要求严格的射频功率放大器设计。同时，它的低寄生电感设计也减少了开关损耗，进一步提升了整体性能。
该芯片广泛用于高功率射频放大器的设计，特别是在无线通信基础设施（如基站）、军事雷达系统、航空航天设备以及卫星通信领域。由于其高效率和宽频带能力，也可以被集成到复杂的多通道射频系统中，以实现高性能的信号处理功能。
GA0603H102MXXAC31G
GA0603H104MXXAC31G
