时间：2024/8/16 14:51:07
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极高的dv/dt能力
100%雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
非常好的制造重复性
额定电压(DC)：1.00 kV
额定电流：3.50 A
针脚数：3
漏源极电阻：2.7Ω
极性：N-Channel
耗散功率：30 W
阈值电压：3.75 V
漏源极电压(Vds)：1000 V
漏源击穿电压：1.00 kV
栅源击穿电压：±30.0 V
连续漏极电流(Ids)：3.50 A
上升时间：7.7 ns
输入电容(Ciss)：1154pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：30 W
下降时间：19 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：30000 mW
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.4 mm
宽度：4.6 mm
高度：9.3 mm
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
REACH SVHC标准：No SVHC
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：Power Management,Industrial,电源管理,工业
