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STF5NK100Z 发布时间 时间:2024/8/16 14:51:07 查看 阅读:317

极高的dv/dt能力
  100%雪崩测试
  栅极电荷最小化
  非常低的固有电容
  非常好的制造重复性

技术参数

额定电压(DC):1.00 kV
  额定电流:3.50 A
  针脚数:3
  漏源极电阻:2.7Ω
  极性:N-Channel
  耗散功率:30 W
  阈值电压:3.75 V
  漏源极电压(Vds):1000 V
  漏源击穿电压:1.00 kV
  栅源击穿电压:±30.0 V
  连续漏极电流(Ids):3.50 A
  上升时间:7.7 ns
  输入电容(Ciss):1154pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):30 W
  下降时间:19 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):30000 mW

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.4 mm
  宽度:4.6 mm
  高度:9.3 mm
  封装:TO-220-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free
  REACH SVHC标准:No SVHC

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube
  制造应用:Power Management,Industrial,电源管理,工业

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STF5NK100Z参数

  • 其它有关文件STF5NK100Z View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1154pF @ 25V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-4344-5