STF5N60M2 时间：2025/4/29 17:16:00 阅读：20

STF5N60M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。它适用于多种高频开关应用以及功率转换电路中，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等领域。
　　STF5N60M2 的设计注重效率和可靠性，能够满足现代电子设备对高效能和小体积的需求。此外，其坚固的封装结构使其能够在恶劣环境下长期稳定工作。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：5A
　　导通电阻：1.9Ω
　　栅极电荷：38nC
　　总电容：720pF
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃
　　封装形式：TO-220AC

特性

STF5N60M2 具有以下显著特性：
　　1. 高击穿电压（600V），适合高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻（1.9Ω），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关性能，能够支持高频操作，从而降低电磁干扰（EMI）和开关损耗。
　　4. 小巧的封装尺寸，便于集成到紧凑型设计中。
　　5. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），确保在极端环境下的可靠运行。
　　6. 内置防静电保护机制，提高了器件的耐用性和抗干扰能力。
　　这些特性使得 STF5N60M2 成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。

应用

STF5N60M2 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的控制和保护功能。
　　3. 各种负载切换和保护电路，如电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　5. LED 照明系统的驱动电路。
　　6. 逆变器和 UPS 系统的关键组件。
　　其卓越的性能和可靠性使其成为许多高性能电子系统的首选功率 MOSFET。