FJPF5027R 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的功率因数校正(PFC)模块,专为高效率、高功率密度的电源转换系统设计。该模块采用了先进的碳化硅(SiC)功率器件技术,具备高开关频率、低导通损耗和低开关损耗的特点,适用于工业电源、服务器电源、通信电源以及光伏逆变器等应用。
类型:功率因数校正(PFC)模块
技术:碳化硅(SiC)功率器件
最大漏极电流(ID):27 A
最大漏源电压(VDS):650 V
导通电阻(RDS(on)):50 mΩ
封装形式:TO-247-4L(四引脚)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
最大功耗:200 W
栅极驱动电压:18 V(最大)
短路耐受能力:支持
FJPF5027R 模块的一个显著特点是其采用了碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET),这种技术相较于传统的硅基IGBT,具有更低的导通损耗和开关损耗,从而显著提高了电源系统的整体效率。此外,该器件具备较高的热稳定性和耐高温能力,使其能够在高温环境下稳定运行,减少了对复杂散热系统的依赖。FJPF5027R 的四引脚 TO-247 封装设计(TO-247-4L)有助于降低栅极驱动回路的寄生电感,从而减少开关过程中的振荡和电磁干扰(EMI),提高系统的可靠性。该模块还具备良好的短路耐受能力,可以在异常工作条件下提供一定的保护功能,延长系统的使用寿命。由于其高频工作能力,使用该模块的电源系统可以采用更小的无源元件(如电感和电容),从而实现更高的功率密度和更紧凑的设计。此外,FJPF5027R 的标准化封装使其易于集成到现有的电源设计中,并支持多种拓扑结构的应用,如升压(Boost)PFC、半桥和全桥拓扑等。
FJPF5027R 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中,例如工业电源、服务器电源、电信电源、光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电设备以及高密度AC-DC和DC-DC转换器等。由于其碳化硅技术的优势,该模块特别适合在高频率和高工作温度环境下运行,能够显著提高系统的整体性能和可靠性。此外,在需要高能效比和高功率密度的现代数据中心和通信基础设施中,FJPF5027R 也具有广泛的应用前景。
FJPFRF0507001A, FJPF5027R-EVKIT