时间：2025/6/10 16:56:40
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STF3NK80Z 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沤道功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用。其优化的性能使其在高效能开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等领域中表现出色。
STF3NK80Z 的封装形式为 TO-220 FullPAK，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合需要高电流承载能力的应用场景。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：3A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：14nC
输入电容：1350pF
开关时间：ton=75ns, toff=39ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
STF3NK80Z 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 800V，非常适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 1.6Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关能力：低栅极电荷和快速开关时间确保了高效的高频操作。
4. 稳健的设计：出色的热特性和机械可靠性，保证长时间稳定运行。
5. 宽温范围支持：能够在 -55℃ 至 175℃ 的温度范围内正常工作，适应各种极端环境。
STF3NK80Z 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于提高电源转换效率并减少能量损失。
2. 电机驱动：控制电机的速度和方向，提供精确的功率调节。
3. DC-DC 转换器：实现高效的直流电压转换。
4. 逆变器：在太阳能逆变器和其他电力转换系统中发挥关键作用。
5. 过流保护电路：提供可靠的过流保护功能，增强系统的安全性。
STF1N80Z, IRF840, FQP18N80C
