STF2HNK60Z 时间：2025/7/23 11:21:24 阅读：5

STF2HNK60Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用先进的制造技术，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：2A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功耗（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STF2HNK60Z具有多个关键特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著减少导通损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET的高耐压能力（600V）使其适用于高电压环境，如电源供应器和电机驱动器。
　　该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行。其TO-220封装设计有助于有效的散热，适用于高功率密度的应用场景。
　　STF2HNK60Z的栅极阈值电压范围为2V至4V，使其兼容多种控制电路，例如PWM控制器和微处理器。该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。
　　此外，STF2HNK60Z采用了先进的制造工艺，确保其在恶劣环境下的可靠性和稳定性，适用于工业自动化、家电控制和电源管理等领域。

应用

STF2HNK60Z广泛应用于多种高功率和高频率的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机控制、照明系统（如LED驱动器）、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效能和高可靠性的场合中表现出色。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可用于DC-DC转换器和AC-DC整流器，实现高效的能量转换。同时，它也适用于电动工具、家用电器和小型工业设备中的电机控制，提供稳定的功率输出和良好的能效表现。
　　由于其优异的开关性能和热管理能力，STF2HNK60Z也常用于高频逆变器和不间断电源（UPS）系统中，确保系统在高负载条件下的稳定运行。