STF23NM60 时间：2025/7/22 5:28:10 阅读：26

STF23NM60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高电压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件具有高耐压能力、低导通电阻和优异的热性能，适用于电源转换器、电机控制、工业自动化设备和消费类电子产品。

参数

型号：STF23NM60
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）@25°C：12A
　　漏极电流（Id）@100°C：7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STF23NM60 MOSFET采用了先进的技术，确保了在高压和高功率条件下可靠运行。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的抗雪崩能力，以应对瞬态过压情况。此外，STF23NM60的封装设计具有优异的散热性能，能够在高负载条件下保持较低的结温，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，使其适用于需要高可靠性的工业和电源管理系统。其封装采用环保材料，符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。STF23NM60在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，降低了高频开关过程中产生的噪声，从而提高了系统的整体电磁兼容性（EMC）表现。

应用

STF23NM60适用于多种高功率电子设备和系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、照明镇流器以及工业自动化控制系统。在消费类电子产品中，它常用于电源管理模块和高功率LED驱动电路。此外，该器件也广泛应用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。