时间：2025/7/23 8:49:40
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STF23NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件设计用于高效率、高功率开关应用，如电源供应器、马达控制、DC-DC转换器以及各种工业和消费类电子设备。STF23NM50N采用了先进的技术，以提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，从而在高电流条件下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：500V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.23Ω（在Vgs=10V时）
最大功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220、D2PAK等
STF23NM50N具有多项显著的技术特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其500V的高漏极-源极电压使其适用于高电压操作环境，如开关电源（SMPS）和电机驱动器。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为0.23Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率，并减少散热需求。此外，STF23NM50N在Vgs=10V时能够提供高达12A的连续漏极电流，表明其具有较强的电流承载能力。
在热性能方面，STF23NM50N的最大功耗为50W，能够在较高的环境温度下保持稳定运行。其工作温度范围从-55℃到+175℃，使其适用于各种严苛的工业环境。该器件的封装形式包括TO-220和D2PAK，这些封装形式都具有良好的热管理和机械稳定性，便于安装和散热。
STF23NM50N还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的能量消耗。此外，该器件的短路耐受能力较强，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。
STF23NM50N广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器，以实现高效的能量转换。由于其高耐压能力和低导通电阻，它也适用于光伏逆变器和UPS（不间断电源）系统。
在电机控制方面，STF23NM50N可用于直流电机驱动器、步进电机控制器和电动工具等应用。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在高负载条件下仍能可靠运行。
此外，该器件也适用于各种工业自动化设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源模块和自动化控制系统。在消费类电子产品中，STF23NM50N可用于高性能电源适配器、LED照明驱动器和高功率充电设备。
STF23NM50ND2KSA1, STF23NM50NFD2KSA1, STD23NM50N
