时间：2025/6/11 21:06:04
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STF20NK50Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TO-220FP 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的场景。
STF20NK50Z 的特点是具有低导通电阻和高耐压能力，使其在高压条件下仍能保持较低的功耗和较高的效率。同时，它还具备快速开关特性和良好的热稳定性，适用于多种工业及消费类电子产品。
型号：STF20NK50Z
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TO-220FP
最大漏源电压 VDS：500V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：20A
脉冲漏极电流 IXP：100A
导通电阻 RDS(on)：0.48Ω（典型值，VGS=10V时）
总功耗 PD：260W
工作温度范围 Tj：-55℃ 至 +150℃
结至外壳热阻 RθJC：1.3°C/W
STF20NK50Z 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：最大漏源电压为 500V，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻：RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 0.48Ω，可有效降低导通损耗。
3. 快速开关速度：由于其优化的内部结构设计，可以实现高速开关操作，从而减少开关损耗。
4. 高可靠性：通过了严格的测试流程，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 良好的热性能：较低的热阻有助于提高散热效果，确保器件在高温条件下的正常工作。
6. 宽广的工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃，适应各种极端气候的应用需求。
STF20NK50Z 可用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制单元。
3. 逆变器系统中的主功率转换器件。
4. 不间断电源（UPS）设备中的关键功率组件。
5. 各种工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 电动车窗、电动座椅等汽车电子系统的功率驱动部分。
IRF540N
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