器件类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值850mV（在1A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA（在70V、25°C时）
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（单个半正弦波8.3ms）
　　热阻（RθJA）：约250°C/W（依PCB布局而定）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

2N70G-TN3-R的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而实现了极低的正向导通压降和近乎瞬时的开关响应速度。由于没有少数载流子的储存效应，该二极管在高频开关环境中不会产生显著的反向恢复电荷（Qrr接近于零），极大地减少了开关损耗，提升了电源系统的转换效率。这一特性使其特别适用于高频DC-DC变换器、同步整流替代方案以及需要快速响应的续流路径中。
　　该器件的平均整流电流额定值为1A，在合理的散热条件下可稳定运行于多种负载场景下。尽管其封装尺寸微小（SOD-123FL），但经过优化的内部引线设计和芯片布局确保了足够的电流承载能力和热稳定性。其正向压降在1A电流下仅为850mV左右，远低于普通硅二极管的1.2V以上水平，这直接降低了导通期间的能量损耗，有助于延长电池寿命并减少散热需求。
　　2N70G-TN3-R还具备较强的抗浪涌能力，允许短时间承受高达30A的峰值电流，增强了在电源启动或瞬态过载情况下的鲁棒性。此外，宽泛的工作温度范围（-55°C至+125°C）使其能够在恶劣环境条件下可靠运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用。其封装材料具有优良的耐湿性和机械强度，支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。整体而言，该二极管在性能、尺寸与可靠性之间达到了良好平衡，是中小型功率电源设计中的理想选择之一。

2N70G-TN3-R被广泛用于各类中小功率电源管理系统中，尤其是在对空间和效率要求较高的场合。常见应用包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部的DC-DC升压或降压电路中的整流与续流元件；在AC-DC适配器和充电器中作为次级侧整流二极管以提高能效；也可用于太阳能充电控制器、LED驱动电源和USB供电模块中实现低损耗能量传输。
　　在工业领域，该器件可用于传感器供电单元、PLC模块、小型继电器驱动电路中的反向电压保护和续流功能。由于其快速响应特性，也常用于高频开关电源（SMPS）拓扑结构中，例如反激式（Flyback）、正激式（Forward）及SEPIC转换器中作为输出整流或箝位二极管。此外，在电机控制电路中，它可以作为感性负载（如线圈、电磁阀）断电时产生的反电动势吸收路径，防止高压击穿其他敏感元件。
　　汽车电子方面，虽然该器件非AEC-Q101认证产品，但仍可用于部分非关键车载系统，如车载信息娱乐设备、行车记录仪、车内照明控制电路等辅助电源管理模块。其表面贴装形式便于自动化生产，适合大批量制造需求，同时满足绿色环保法规要求，适用于出口导向型电子产品设计。

B1100-13-F
　　MBR140T1G
　　SK14BL