STF202-30.TCT是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件设计用于高功率应用,具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于电源转换、电机控制以及工业自动化系统等场合。STF202-30.TCT采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,适合在中高功率环境中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):200V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):约40mΩ(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
最大功耗(Ptot):125W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
漏源击穿电压(BVdss):200V
STF202-30.TCT具备低导通电阻的特性,这使得它在导通状态下具有较低的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,该器件的高电流承载能力使其能够在高负载条件下稳定工作,适用于需要高功率输出的应用场景。
该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。其TO-220封装形式提供了优良的散热性能,有助于快速将热量传导至外部散热片,从而降低器件的工作温度。
STF202-30.TCT还具备快速开关特性,能够在高频条件下工作,适用于开关电源、DC-DC转换器和PWM控制等应用。其栅极阈值电压范围适中,便于驱动电路设计,同时也降低了误触发的风险。
该器件还具有较高的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其在电机控制和工业自动化系统中具有更高的可靠性和安全性。
STF202-30.TCT广泛应用于各种高功率电子设备中,如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动电路。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其成为电源管理系统的理想选择。
在工业自动化领域,该MOSFET可用于PLC(可编程逻辑控制器)和伺服驱动器等设备,提供稳定的功率输出和高效的能量转换。此外,它还可用于太阳能逆变器和电池管理系统等新能源应用,帮助提高系统的整体效率和可靠性。
由于其良好的热稳定性和较高的短路耐受能力,STF202-30.TCT也适用于汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)和车载充电器等。在这些应用中,该器件能够承受较高的工作温度和较大的电流冲击,确保系统的稳定运行。
STF202-30L.TCT, STF202-30S.TCT