时间：2025/8/5 3:14:22
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STF201-30.TC 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管。该器件专为高功率、高频率和高效率的应用而设计，广泛用于电源转换、电机控制、负载开关以及功率管理等领域。STF201-30.TC采用TO-220封装，具有良好的热性能和可靠性，适合在工业和汽车环境中使用。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：20A
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤25mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
STF201-30.TC具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时最大为25mΩ，这在同类产品中表现出色。
此外，该MOSFET具备高电流承载能力，额定漏极电流为20A，适用于需要高功率密度的设计。器件的漏源电压为30V，使其适用于多种中低电压功率应用。
该器件还具有良好的热稳定性，TO-220封装提供了出色的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的运行。其最大功率耗散为75W，适用于连续工作的高功率场景。
STF201-30.TC的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，同时能够与常见的驱动电路兼容，简化了电路设计。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，提升了在突变负载条件下的可靠性。
STF201-30.TC主要应用于功率开关、直流-直流转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及电源管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高效能电源转换系统，如同步整流器和同步降压变换器。
在汽车电子领域，STF201-30.TC可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）中的功率控制单元。在工业控制方面，它可用于PLC模块、伺服电机控制和不间断电源（UPS）等设备。
该MOSFET还适用于各种消费类电子产品，如高性能笔记本电脑电源适配器、智能电池管理系统以及高效率LED驱动电路。
IRF3710, FDP20N30, IRL27013PBF, STF20N30L, STF20N30
