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AUIRFR5505TRR 发布时间 时间:2025/7/14 18:55:35 查看 阅读:9

AUIRFR5505TRR 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的汽车级 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263-3 封装,广泛应用于汽车电子系统中,用于高效率开关和负载控制。其设计符合 AEC-Q101 标准,确保在恶劣的汽车环境下具备卓越的可靠性和稳定性。
  该 MOSFET 具有低导通电阻特性,有助于减少功率损耗,并提高系统的整体效率。同时,它还具有较高的雪崩耐量能力,能够在过载或短路情况下提供额外保护。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:2.9mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:1720pF
  工作温度范围:-40℃ 至 175℃

特性

AUIRFR5505TRR 的主要特性包括超低导通电阻,这使得器件非常适合于需要高效能和低热耗散的应用场景。此外,其封装形式适合表面贴装技术,简化了生产流程并增强了机械牢固性。
  该器件还具有快速开关速度和较低的输入及输出电容,有助于降低开关损耗。另外,由于其符合车规级标准,因此能够在极端温度和振动条件下保持稳定运行。同时,该器件具有出色的 ESD 保护性能,进一步提升了其可靠性。
  AUIRFR5505TRR 的典型应用包括直流电机驱动、负载切换、DC/DC 转换器、电池管理以及 LED 驱动等汽车相关领域。这些应用得益于其高效率和强鲁棒性的特点。

应用

该 MOSFET 广泛用于汽车电子系统的多种场合,如启动马达预驱电路、燃油喷射控制、ABS 制动系统、电动车窗与座椅调节模块、LED 照明控制以及其他需要高性能功率开关的应用。
  此外,它也适用于工业环境中要求高可靠性的电源管理系统,例如不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器中的功率转换组件。

替代型号

IRFR5505TRPBF

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AUIRFR5505TRR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 9.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)