时间：2025/5/15 16:17:05
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STF13N65M2是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式，适用于高电压和高效率的开关应用。STF13N65M2具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，广泛应用于工业电源、电机驱动以及各种高压开关场景。
该型号属于MDmesh技术系列，通过优化的栅极电荷设计，确保在高频应用中保持较高的能效表现。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：1.3Ω
栅极电荷：85nC
总电容（Ciss）：3900pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
STF13N65M2具备以下关键特性：
1. 高击穿电压（650V），适合高压环境应用。
2. 较低的导通电阻（1.3Ω），减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并支持高频操作。
4. 稳定的动态性能和优秀的热稳定性，适用于恶劣的工作条件。
5. 采用TO-。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
STF13N65M2适合多种高压功率转换和控制场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 工业设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器的功率模块。
4. 电动车辆或混合动力车辆中的DC-DC转换器。
5. 各种电磁阀和继电器驱动电路。
6. 高压LED照明驱动系统。
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