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HY57V168010CLTC-10S 发布时间 时间:2025/9/2 4:06:39 查看 阅读:10

HY57V168010CLTC-10S是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片采用16M x 8位的组织结构,提供16兆位的存储容量,适合用于需要高性能存储解决方案的各类电子设备。

参数

容量:16M x 8位
  类型:DRAM
  速度:10ns(纳秒)
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  工作电压:3.3V
  数据宽度:8位
  组织结构:16M x 8位

特性

HY57V168010CLTC-10S具备高速访问能力,存取时间低至10ns,这使得它适用于需要快速数据处理的应用场景。该芯片采用TSOP封装,具有良好的电气性能和热稳定性,同时降低了PCB板的占用空间,便于设计紧凑型电子产品。
  此外,这款DRAM芯片的工作电压为3.3V,相较于传统的5V供电DRAM,功耗更低,有助于提高系统的能效。其16M x 8位的组织结构提供了适中的存储容量,适用于中高端嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品。
  在可靠性方面,HY57V168010CLTC-10S经过严格测试,符合行业标准,能够在广泛的温度范围内稳定工作,确保了设备在不同环境下的运行可靠性。

应用

HY57V168010CLTC-10S广泛应用于需要中等容量高速存储的电子设备中。常见应用包括工业自动化控制系统、嵌入式系统、网络路由器和交换机、图像处理设备以及消费类电子产品如高端数字电视和游戏机。由于其良好的性能和稳定性,该芯片也常被用于医疗设备和测试仪器中,以确保数据的快速存取和处理效率。

替代型号

IS42S16800CLTC-10, CY7C1041GN3A, MT48LC16M8A2B4-10A

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