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CBR08C339B5GAC 发布时间 时间:2025/7/1 5:58:52 查看 阅读:8

CBR08C339B5GAC是一款高性能的射频芯片,主要用于通信系统中的信号处理和传输。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,具备低功耗、高集成度的特点,适用于无线通信、物联网和其他高频应用领域。其设计优化了射频性能,支持多种调制方式,并能有效降低系统噪声,提高整体传输效率。

参数

型号:CBR08C339B5GAC
  工作频率范围:3.3GHz - 3.9GHz
  最大输出功率:23dBm
  输入匹配阻抗:50欧姆
  电源电压:1.8V - 3.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN 24L
  功耗:小于150mA

特性

CBR08C339B5GAC具有出色的线性度和动态范围表现,能够在高频段提供稳定的增益和较低的噪声系数。此外,该芯片内置了多种功能模块,如功率检测器、温度补偿电路等,能够简化外围电路设计并减少系统复杂性。
  芯片还支持多模式操作,允许用户根据具体应用场景灵活调整工作参数。通过集成高效的PA(功率放大器)和LNA(低噪声放大器),它在确保高性能的同时降低了整体系统的功耗。
  为了适应不同的使用需求,CBR08C339B5GAC提供了丰富的接口选项,包括SPI控制接口和数字校准功能,使配置和调试更加便捷。

应用

该芯片广泛应用于各种无线通信设备中,例如Wi-Fi路由器、蓝牙模块、Zigbee节点以及5G小基站等。由于其卓越的射频性能,CBR08C339B5GAC也非常适合用于工业自动化、医疗设备和汽车电子等领域,尤其是在需要高可靠性和低延迟的数据传输场景下表现优异。

替代型号

CBR08C339B5GAH, CBR08C339B5GAL

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CBR08C339B5GAC参数

  • 数据列表CBR08C339B5GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容3.3pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-