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STF130N10F3 发布时间 时间:2025/6/11 21:04:41 查看 阅读:8

STF130N10F3是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关的电路中。
  STF130N10F3具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时保持了良好的开关特性,适用于多种工业及消费类电子应用。

参数

型号:STF130N10F3
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装:TO-220
  最大漏源电压Vds:100V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:130A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:225W
  工作结温范围Tj:-55°C至+175°C
  存储温度范围Tstg:-55°C至+150°C

特性

STF130N10F3是一款高性能的功率MOSFET,具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)为4.5mΩ),可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 较高的漏极电流承载能力(130A),适用于大电流应用场景。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提升高频性能。
  4. 高度耐用的设计,能够在极端条件下可靠运行。
  5. 采用标准TO-220封装,便于散热和安装,适合各种工业设计需求。
  6. 广泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),使其能够适应多种恶劣环境下的应用。
  这些特性使得STF130N10F3成为需要高效率和高可靠性场合的理想选择。

应用

STF130N10F3适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器,尤其是大电流输出的降压或升压转换器。
  3. 电机驱动控制电路,例如无刷直流电机(BLDC)或步进电机驱动。
  4. 工业设备中的负载切换和保护电路。
  5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关应用。
  6. 电动车充电器和电池管理系统(BMS)。
  其强大的电流承载能力和高效的开关特性使其非常适合于要求高功率密度和高效率的应用场景。

替代型号

STP130N10F3, IRFZ44N, FDP187

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STF130N10F3参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C46A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.6 毫欧 @ 23A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs57nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3305pF @ 25V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-13098-5STF130N10F3-ND