STF12N120K5 时间：2025/7/23 2:18:28 阅读：6

STF12N120K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，具有高电压和高电流的处理能力。该MOSFET专为高效率电源转换和电机控制应用设计，能够在1200V的漏极-源极电压下工作，提供高达12A的连续漏极电流。STF12N120K5采用先进的制造工艺，确保了在高电压下的稳定性和可靠性。该器件广泛应用于开关电源、逆变器、UPS系统和工业电机控制等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：1200V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　漏极-源极导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.75Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STF12N120K5具备多项优异的电气和物理特性。其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压电源转换应用，例如工业电源和电机驱动系统。该MOSFET的导通电阻较低（典型值为0.75Ω），有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，STF12N120K5采用了先进的沟槽栅极技术，提供更佳的开关性能和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提升了器件的可靠性和寿命。其TO-247封装形式具有良好的散热性能，有助于将热量快速散发，确保器件在高负载条件下的稳定工作。
　　STF12N120K5的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与控制电路的接口。其栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的功耗，并提升开关速度。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下（如电压瞬变）提供额外的保护，减少器件损坏的风险。此外，该器件的短路耐受能力较强，适合在高要求的工业环境中使用。这些特性使得STF12N120K5成为高电压、高效率功率转换应用的理想选择。

应用

STF12N120K5广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于高压DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及高压AC-DC转换模块，以提高能效和系统稳定性。在电机控制应用中，STF12N120K5可用于工业电机驱动器、伺服控制器和电动工具的功率控制电路，提供高效且可靠的开关性能。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电能质量调节设备。在这些应用中，STF12N120K5的高耐压能力和低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统的能效。同时，其良好的热稳定性和抗过载能力也使其适用于高可靠性要求的工业自动化系统。