STF11NM65N 时间：2025/6/28 23:24:38 阅读：6

STF11NM65N是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这款器件专为高电压应用设计，具有650V的击穿电压，能够承受较高的漏源电压。STF11NM65N适用于各种开关电源、电机驱动以及工业控制等领域。
　　该MOSFET采用了先进的制造工艺，优化了导通电阻和开关性能，从而提高了效率并降低了功耗。其典型应用场景包括DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）等。

参数

额定电压：650V
　　最大漏极电流：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.8Ω（典型值，条件为Vgs=10V）
　　栅极电荷：45nC（典型值）
　　输入电容：1050pF（典型值）
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

STF11NM65N具有以下显著特性：
　　1. 高击穿电压：650V的设计使其适用于高压环境，确保在恶劣条件下可靠运行。
　　2. 较低的导通电阻：3.8Ω（典型值）可减少导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关能力：较低的栅极电荷（45nC典型值）和输入电容（1050pF典型值）使得开关速度更快，适合高频应用。
　　4. 稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内（-55℃至+150℃）保持稳定性能。
　　5. TO-220封装：易于安装且散热性能良好，适合大功率应用。

应用

STF11NM65N主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：
　　包括AC-DC适配器、PC电源和工业电源模块等。
　　2. 电机驱动：
　　可用于无刷直流电机（BLDC）控制器和其他类型的电机驱动电路。
　　3. 工业自动化：
　　在工业控制设备中作为功率开关元件使用。
　　4. 逆变器：
　　应用于太阳能逆变器、UPS和其他电力转换装置。
　　5. 其他高压开关应用：
　　如固态继电器、负载切换等。