时间：2025/10/7 0:13:36
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UPM2G3R3MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的通用型P沟道MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散制造工艺，专为高效率电源管理应用设计。该器件封装在小型化且符合环保标准的PMDE（SOT-723）封装中，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要优势在于低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，能够在有限的PCB面积内实现高效的功率控制。该MOSFET广泛用于电池供电系统、负载开关、DC-DC转换器以及各类便携式消费类电子产品中的电源管理模块。由于其P沟道结构，在栅极电压低于源极时导通，因此特别适合用于高端开关应用，无需额外的电荷泵电路即可实现简单驱动。此外，UPM2G3R3MPD具备优良的ESD保护能力，并通过了AEC-Q101可靠性认证，确保在工业和汽车级环境下的稳定运行。
型号：UPM2G3R3MPD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-2.3A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-4.6A
最大栅源电压（VGS）：±8V
导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：33mΩ（最大值）
导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：45mΩ（最大值）
阈值电压（Vth）：-0.8V 至 -1.4V
输入电容（Ciss）：290pF @ VDS=10V
输出电容（Coss）：145pF @ VDS=10V
反向恢复时间（trr）：未内置体二极管快速恢复功能
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：PMDE (SOT-723)
安装方式：表面贴装
功耗（Ptot）：300mW
UPM2G3R3MPD采用ROHM先进的Trench MOS技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其在同类P沟道MOSFET中具有较高的能效表现。其在VGS=-4.5V条件下的RDS(on)典型值仅为33mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率，尤其适用于对功耗敏感的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等。该器件的栅极阈值电压范围合理，确保在低电压逻辑信号下仍能可靠开启，同时避免误触发。得益于其小型PMDE封装，该MOSFET具有非常紧凑的外形尺寸（约1.0mm x 1.0mm x 0.5mm），极大地节省了PCB布局空间，非常适合高密度组装需求。
该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，经过严格的老化测试和高温工作寿命验证，能够在恶劣环境条件下保持稳定的电气特性。其封装材料符合RoHS和无卤素要求，支持绿色环保生产流程。UPM2G3R3MPD还具有较强的抗静电能力（HBM ESD rating ≥ 2kV），有效提升了在自动化贴片和现场使用过程中的鲁棒性。此外，其寄生参数优化良好，输入电容和输出电容较小，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升高频工作的稳定性。
由于其P沟道结构，该MOSFET在用作高端开关时可以直接由逻辑电平控制，无需复杂的驱动电路或自举电源，简化了系统设计并降低成本。它也非常适合作为电池隔离开关或电源路径管理元件，在系统待机或关机状态下切断负载供电，防止漏电。总体而言，UPM2G3R3MPD是一款高性能、小尺寸、低功耗的P沟道MOSFET，结合了先进工艺、高可靠性与易于集成的特点，是现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。
UPM2G3R3MPD广泛应用于需要高效、小型化电源开关的各种便携式电子设备中。典型应用场景包括移动设备中的电池电源管理，例如智能手机和平板电脑中的电池连接/断开控制，通过该MOSFET实现对主电源路径的精确通断，以降低待机功耗并提高安全性。此外，它也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，尤其是在输入电压较低（如3.3V或5V系统）的情况下，作为上管开关使用，因其P沟道特性无需额外的驱动电路即可正常工作，从而简化设计复杂度。
在负载开关电路中，UPM2G3R3MPD可用于控制不同功能模块的供电，比如摄像头模组、Wi-Fi模块、传感器单元等外设的独立上电与断电，实现动态电源管理，延长电池续航时间。其快速响应能力和低导通电阻确保了在频繁开关操作下的高效运行。该器件还可用于过流保护电路或热插拔控制中，配合控制逻辑实现自动切断故障电流的功能。
其他应用领域还包括便携式医疗设备、智能手表、无线耳机、蓝牙音箱、USB充电器及各类IoT终端设备。由于其符合AEC-Q101标准，也可用于车载信息娱乐系统或车身电子模块中的低压电源切换任务。总之，凡是需要小体积、低功耗、高可靠性的P沟道功率开关场合，UPM2G3R3MPD都是一个极具竞争力的选择。
DMG2301U-7
FMMT718
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