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UPM2G3R3MPD 发布时间 时间:2025/10/7 0:13:36 查看 阅读:13

UPM2G3R3MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的通用型P沟道MOSFET,采用先进的沟槽栅极和双扩散制造工艺,专为高效率电源管理应用设计。该器件封装在小型化且符合环保标准的PMDE(SOT-723)封装中,适用于空间受限的便携式电子设备。其主要优势在于低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度以及良好的热稳定性,能够在有限的PCB面积内实现高效的功率控制。该MOSFET广泛用于电池供电系统、负载开关、DC-DC转换器以及各类便携式消费类电子产品中的电源管理模块。由于其P沟道结构,在栅极电压低于源极时导通,因此特别适合用于高端开关应用,无需额外的电荷泵电路即可实现简单驱动。此外,UPM2G3R3MPD具备优良的ESD保护能力,并通过了AEC-Q101可靠性认证,确保在工业和汽车级环境下的稳定运行。

参数

型号:UPM2G3R3MPD
  制造商:ROHM Semiconductor
  器件类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大连续漏极电流(ID):-2.3A
  最大脉冲漏极电流(IDM):-4.6A
  最大栅源电压(VGS):±8V
  导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V:33mΩ(最大值)
  导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V:45mΩ(最大值)
  阈值电压(Vth):-0.8V 至 -1.4V
  输入电容(Ciss):290pF @ VDS=10V
  输出电容(Coss):145pF @ VDS=10V
  反向恢复时间(trr):未内置体二极管快速恢复功能
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装类型:PMDE (SOT-723)
  安装方式:表面贴装
  功耗(Ptot):300mW

特性

UPM2G3R3MPD采用ROHM先进的Trench MOS技术,实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡,使其在同类P沟道MOSFET中具有较高的能效表现。其在VGS=-4.5V条件下的RDS(on)典型值仅为33mΩ,显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率,尤其适用于对功耗敏感的应用场景,如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等。该器件的栅极阈值电压范围合理,确保在低电压逻辑信号下仍能可靠开启,同时避免误触发。得益于其小型PMDE封装,该MOSFET具有非常紧凑的外形尺寸(约1.0mm x 1.0mm x 0.5mm),极大地节省了PCB布局空间,非常适合高密度组装需求。
  该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性,经过严格的老化测试和高温工作寿命验证,能够在恶劣环境条件下保持稳定的电气特性。其封装材料符合RoHS和无卤素要求,支持绿色环保生产流程。UPM2G3R3MPD还具有较强的抗静电能力(HBM ESD rating ≥ 2kV),有效提升了在自动化贴片和现场使用过程中的鲁棒性。此外,其寄生参数优化良好,输入电容和输出电容较小,有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰,提升高频工作的稳定性。
  由于其P沟道结构,该MOSFET在用作高端开关时可以直接由逻辑电平控制,无需复杂的驱动电路或自举电源,简化了系统设计并降低成本。它也非常适合作为电池隔离开关或电源路径管理元件,在系统待机或关机状态下切断负载供电,防止漏电。总体而言,UPM2G3R3MPD是一款高性能、小尺寸、低功耗的P沟道MOSFET,结合了先进工艺、高可靠性与易于集成的特点,是现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。

应用

UPM2G3R3MPD广泛应用于需要高效、小型化电源开关的各种便携式电子设备中。典型应用场景包括移动设备中的电池电源管理,例如智能手机和平板电脑中的电池连接/断开控制,通过该MOSFET实现对主电源路径的精确通断,以降低待机功耗并提高安全性。此外,它也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分,尤其是在输入电压较低(如3.3V或5V系统)的情况下,作为上管开关使用,因其P沟道特性无需额外的驱动电路即可正常工作,从而简化设计复杂度。
  在负载开关电路中,UPM2G3R3MPD可用于控制不同功能模块的供电,比如摄像头模组、Wi-Fi模块、传感器单元等外设的独立上电与断电,实现动态电源管理,延长电池续航时间。其快速响应能力和低导通电阻确保了在频繁开关操作下的高效运行。该器件还可用于过流保护电路或热插拔控制中,配合控制逻辑实现自动切断故障电流的功能。
  其他应用领域还包括便携式医疗设备、智能手表、无线耳机、蓝牙音箱、USB充电器及各类IoT终端设备。由于其符合AEC-Q101标准,也可用于车载信息娱乐系统或车身电子模块中的低压电源切换任务。总之,凡是需要小体积、低功耗、高可靠性的P沟道功率开关场合,UPM2G3R3MPD都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

DMG2301U-7
  FMMT718
  ZXM61P02FTA
  AOZ8021PI

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UPM2G3R3MPD参数

  • 标准包装200
  • 类别电容器
  • 家庭
  • 系列PM
  • 电容3.3µF
  • 额定电压400V
  • 容差±20%
  • 寿命@温度105°C 时为 5000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 特点通用
  • 纹波电流47mA
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 阻抗-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can
  • 尺寸/尺寸0.394" 直径(10.00mm)
  • 高度 - 座高(最大)0.866"(22.00mm)
  • 引线间隔0.197"(5.00mm)
  • 表面贴装占地面积-
  • 包装散装