时间：2025/6/25 13:41:43
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STF10N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高耐压的特点，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等多种工业应用。这款MOSFET的额定电压为800V，连续漏极电流可达10A，能够在高频开关条件下提供高效能表现。
STF10N80K5的设计注重在高压环境下的稳定性与可靠性，因此广泛应用于需要处理大功率和高电压的场合。
最大漏源电压：800V
最大连续漏极电流：10A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.9Ω
总功耗：175W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
STF10N80K5具备以下主要特性：
1. 高耐压能力：800V的额定漏源电压使其适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为0.9Ω，在高电流工作时能够减少能量损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和输出电荷，有助于实现高频操作。
4. 热稳定性强：其最高结温可达175℃，适应恶劣的工作条件。
5. 可靠性高：通过了多种严格的质量测试，确保长期使用中的稳定性。
6. 封装坚固：TO-220封装便于散热且易于安装在PCB板上。
STF10N80K5适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换器中作为主开关管。
2. 电机驱动：可用于控制各类电机的速度和方向。
3. 逆变器：在光伏逆变器和其他类型的逆变器中作为关键功率元件。
4. PFC电路：在功率因数校正电路中提升系统效率。
5. 工业自动化设备：如焊接机、UPS不间断电源等需要处理大功率的应用场景。
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