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STF10N60 发布时间 时间:2025/7/22 5:25:59 查看 阅读:5

STF10N60是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电压和高电流应用而设计,适用于各种功率转换和管理电路。STF10N60采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,使其在功率电子应用中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):最大0.68Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

STF10N60具有多项优异的电气和物理特性。首先,其高耐压能力(600V)使其能够承受较大的电压应力,适用于高电压应用,如开关电源和电机控制电路。其次,该MOSFET的导通电阻较低,最大为0.68Ω,这有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,在高温环境下依然能够稳定运行,增强了系统的可靠性。
  STF10N60的封装形式为TO-220,这种封装具有良好的散热性能,适用于高功率密度的设计。该封装也便于安装和散热片连接,有助于提高整体散热效率。由于其出色的电气性能和机械性能,STF10N60广泛应用于各种工业和消费类电子产品中。
  另外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使得其在不同的驱动电路中具有较好的兼容性。其高电流承载能力(10A)也使其适用于需要较高负载电流的应用场景,如DC-DC转换器和电动工具控制电路。

应用

STF10N60主要用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子设备中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关电路。在这些应用中,STF10N60能够提供高效的功率转换和稳定的运行性能。
  在开关电源中,STF10N60用于主开关元件,负责将输入的直流电压转换为高频交流信号,从而实现高效的能量传输。在电机控制电路中,该MOSFET用于控制电机的转速和方向,提供精确的功率调节。此外,STF10N60还可用于电动工具、照明设备以及各种消费类电子产品的电源管理系统中。
  由于其良好的热性能和可靠性,STF10N60也可用于高温环境下的工业控制设备和汽车电子系统。例如,在汽车的电动助力转向系统(EPS)或车载充电器中,该器件能够稳定运行并提供高效的功率控制。

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STF10N60M, STF10N60D, STF10NM60ND

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