时间：2025/7/23 12:34:58
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STE36N50-DK是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高效率的电子系统中。这款MOSFET采用TO-220AB封装，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、电机控制、开关电源和电池管理系统等。STE36N50-DK的设计旨在提供低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能，从而提高系统的整体效率和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.155Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220AB
STE36N50-DK的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的Rds(on)最大值为0.155Ω，这在同类产品中表现优异，能够显著减少功率损耗并降低工作温度。此外，STE36N50-DK具有较高的耐压能力，漏源电压（Vds）可达500V，使其适用于高电压应用，如工业电源和马达驱动器。
另一个重要特性是其较高的漏极电流能力，最大漏极电流（Id）为36A。这使得STE36N50-DK能够处理大功率负载，适用于需要高电流的应用场景，如电动汽车充电器和太阳能逆变器。此外，该MOSFET的栅极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，确保器件在各种工作条件下都能稳定运行。
STE36N50-DK采用TO-220AB封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效降低器件的工作温度，从而提高可靠性和寿命。此外，该封装形式也便于安装和散热设计，适合在紧凑的电路板布局中使用。该器件的功率耗散为80W，能够在较高温度下保持稳定的工作性能。
STE36N50-DK还具有较宽的工作温度范围，从-55°C到+150°C，这使其能够在极端环境条件下正常工作。这一特性使其非常适合用于工业和汽车应用，这些应用通常需要器件在恶劣环境下保持稳定的工作性能。
STE36N50-DK主要用于高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制系统。在开关电源应用中，该器件能够高效地转换和调节电压，提高电源的效率并减少能量损耗。在DC-DC转换器中，STE36N50-DK可用于升压或降压电路，提供稳定的输出电压。此外，该器件也常用于电机控制应用，如电动工具、工业自动化设备和电动汽车的驱动系统。
STE36N50-DK还适用于电池管理系统（BMS），用于控制和管理电池的充放电过程。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件能够在电池管理系统中提供高效的能量传输，延长电池的使用寿命。此外，该器件也常用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统，以提高能源转换效率并减少系统损耗。
在汽车电子领域，STE36N50-DK可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动车空调系统等应用。其高耐压能力和良好的热性能使其能够在汽车电子系统中稳定运行，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。
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