时间：2025/7/22 8:04:04
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STE30NK90Z是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高电压、高电流N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于高功率应用场合。该MOSFET具备较高的漏源击穿电压（900V）和较大的连续漏极电流（30A），非常适合在高电压、高效率的电源系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：30A（Tc=25℃）
功耗（Ptot）：400W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
STE30NK90Z具有出色的导通电阻和开关特性，使其在高功率转换应用中表现出色。该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，STE30NK90Z采用了先进的平面条形MOSFET技术，提供了优异的热稳定性和耐用性，使其在高负载和高温环境下依然能够可靠运行。其高栅极绝缘能力（±30V）确保了在复杂电磁环境下稳定的控制性能。TO-247封装形式具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，进一步提升了其在高功率应用中的可靠性。
STE30NK90Z还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器等对效率要求高的应用。其高耐压能力和较大的电流承载能力使其在工业电源、电机控制、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统中具有广泛的应用前景。
STE30NK90Z广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）系统、电池充电器以及高电压DC-DC转换器等。由于其高耐压、高电流和高效率的特性，STE30NK90Z非常适合用于需要在高电压环境下稳定工作的电力电子系统中。
STF30NM60ND, STW34NK90Z, STP30NK90Z
