时间：2025/7/23 4:34:11
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STE180N05是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件设计用于在高电流和高频率条件下提供优异的性能。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：180A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：约2.8mΩ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
STE180N05具有低导通电阻，可减少导通损耗并提高系统效率。
它支持高电流能力，适用于高功率密度设计。
该器件采用先进的沟槽技术，确保优异的热性能和稳定性。
其高栅极电压容限（±20V）增强了在不同工作条件下的可靠性。
STE180N05的封装形式为TO-247，便于安装和散热管理。
此外，它具有快速开关特性，适用于高频开关电源应用。
STE180N05广泛应用于各种电源管理领域，如DC-DC转换器、电机控制器、电池充电器、服务器电源和工业自动化设备。
由于其高效率和低导通电阻，该MOSFET在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电源系统中也得到了广泛应用。
另外，STE180N05还适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
STP180N5F7AG | STP180N5F7 | IRF180N50T | IPW90R025S7-1K
