时间：2025/7/22 5:19:04
阅读：7
STE145N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于高效率电源转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
漏极电流（ID）：145A（在Tc=100℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大值为14.5mΩ（典型值12mΩ）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-247
STE145N65M5 的核心优势在于其先进的超级结结构，这种结构显著降低了导通电阻并提高了器件的击穿电压能力，从而在高电压应用中实现了更低的导通损耗。此外，该MOSFET具备极低的栅极电荷（Qg），使得开关损耗显著减少，提高了系统的整体效率。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在极端工作条件下的可靠性。
该器件还具有良好的热稳定性和抗短路能力，适合用于高要求的工业电源、DC-DC转换器和电机驱动应用。此外，STE145N65M5的封装设计有助于快速散热，提升器件在高功率密度环境下的工作稳定性。
STE145N65M5 广泛应用于各种高效率电源系统中，包括服务器电源、电信电源、光伏逆变器、UPS不间断电源、电池充电器以及工业电机控制电路。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET也非常适合用于高频开关电源设计，能够显著提升系统的能量转换效率。
此外，该器件在电动汽车（EV）充电设备、智能电网系统以及储能系统中也具有广泛的应用前景。其高可靠性和优异的热管理能力使其在高温和高负载环境下依然能保持稳定运行。
STF150N65M5, STH150N65M5, IPW65R014CFD7AG, IPP145N65WS
