STE140NF20D 时间：2025/7/23 14:29:53 阅读：11

STE140NF20D 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等高功率电子系统中。该器件采用先进的TrenchFET技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。STE140NF20D的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有较高的电流承载能力，适合在高效率和紧凑型设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　连续漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.7V至4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

STE140NF20D 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为5.8mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的TrenchFET工艺技术，使MOSFET在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗。
　　该MOSFET还具备良好的热管理能力，得益于其PowerFLAT 5x6封装设计，能够有效地将热量传导到PCB上，提升器件的热稳定性。STE140NF20D的栅极阈值电压范围为2.7V至4.5V，使其兼容多种驱动电路，包括常见的3.3V和5V逻辑电平系统。
　　在可靠性方面，STE140NF20D通过了严格的工业级测试，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于高可靠性和高负载的应用环境。此外，其200V的漏源电压和140A的连续漏极电流能力，使其在大功率应用中表现出色。

应用

STE140NF20D 主要应用于需要高效能、高电流承载能力的电力电子系统中。例如，在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可以作为主开关器件，提供高效稳定的功率输出。此外，它也广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统中，以提高能量转换效率并减小系统体积。
　　在新能源领域，STE140NF20D 可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中，确保系统在高负载条件下的稳定运行。在汽车电子方面，该器件可应用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）等关键部件，满足汽车环境对高可靠性和长寿命的要求。