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STD96N3LLH6 发布时间 时间:2025/6/30 13:05:52 查看 阅读:3

STD96N3LLH6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 没有通道功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
  STD96N3LLH6 的设计目标是为功率转换应用提供卓越的性能和可靠性,其优化的 RDS(on) 和栅极电荷特性使其成为高效功率管理的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:2.7mΩ
  栅极电荷:125nC
  总功耗:18W
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TOLL

特性

STD96N3LLH6 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),在 2.7mΩ 的水平上显著降低了传导损耗。
  2. 高效的功率转换能力,适用于多种工业和消费类电子设备。
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 优化的栅极电荷设计,可实现更快的开关速度并减少开关损耗。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 工作温度范围宽广,适合恶劣环境下的应用。
  7. 可靠性经过严格测试,确保长期使用中的稳定性。

应用

STD96N3LLH6 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计,用于提高能效。
  2. DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动控制电路,包括家用电器和工业自动化设备。
  4. 太阳能逆变器中的功率级元件。
  5. 各种负载切换和保护电路。
  6. 电动车和混合动力车中的电池管理系统(BMS)及辅助电路。
  由于其出色的电气特性和机械性能,这款 MOSFET 在高性能要求的应用中表现出色。

替代型号

STD95N3LLH6
  IRLB8748PBF
  AO4434

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STD96N3LLH6参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-11214-6