MP24895GJ-P是一款由Monolithic Power Systems(MPS)公司生产的高性能、半桥栅极驱动器芯片,主要用于功率电子系统中,例如电机驱动、电源转换器和逆变器等应用。该芯片设计用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,具有高边和低边驱动能力,并采用了自举供电技术,以确保高电压应用中的稳定运行。MP24895GJ-P具有宽输入电压范围、低传播延迟以及强大的驱动能力,是工业和汽车电子应用中的理想选择。
工作电压范围:5V至20V
输出电流能力:高边和低边均为0.5A(峰值)
最大工作频率:100kHz
传播延迟:典型值为100ns
输入逻辑电平兼容:支持3.3V、5V和15V逻辑信号
静态电流:典型值为1.2mA
温度范围:-40°C至125°C
封装类型:TSSOP 16引脚
MP24895GJ-P的主要特性包括其高效的半桥结构设计,能够同时驱动高边和低边功率开关器件。该芯片内置了自举二极管,简化了外部电路设计并减少了所需元件数量。此外,MP24895GJ-P具有出色的抗噪能力和高边悬浮电压耐受性,确保在高电压和高开关频率下的稳定运行。
芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)功能,以防止在供电电压不足时导致功率器件的异常工作。同时,MP24895GJ-P的输入端具有施密特触发器功能,提高了抗干扰能力,确保输入信号的稳定性。
该器件还具备热关断保护功能,能够在温度过高的情况下自动关闭输出,以保护芯片和外部功率器件免受损坏。MP24895GJ-P的输出驱动能力强,能够快速充放电功率器件的栅极电容,从而减少开关损耗并提高系统效率。
MP24895GJ-P采用16引脚TSSOP封装,适用于紧凑型设计,同时支持宽范围的输入电压,使其在多种应用中具有广泛的适应性。
MP24895GJ-P广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场合。例如,在电机控制领域,该芯片可用于无刷直流电机(BLDC)或永磁同步电机(PMSM)的驱动电路中。在电源转换应用中,MP24895GJ-P可用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及同步整流器的设计中。
此外,MP24895GJ-P也适用于工业自动化设备、伺服驱动器、变频器以及电动车辆中的功率电子系统。由于其具备高可靠性和宽工作温度范围,因此在汽车电子系统中也常被用于驱动高边和低边功率开关器件。
在光伏逆变器、储能系统和不间断电源(UPS)等能源相关设备中,MP24895GJ-P也可作为关键的栅极驱动元件,确保功率器件在高电压和高频率下的稳定运行。
Si8235BBC-C-IS, IRS2104S, LM5109B-Q1/NOPB