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STD95N4LF3 发布时间 时间:2025/12/23 9:11:41 查看 阅读:22

STD95N4LF3是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,适用于高电压和高电流应用。它具有低导通电阻、高雪崩能力以及快速开关速度等特性,非常适合用于电机驱动、开关电源、DC-DC转换器和其他电力电子领域。
  STD95N4LF3的主要特点是其耐压能力高达400V,同时在典型栅极驱动条件下具有较低的导通电阻。这使其成为需要高效能和可靠性的电路的理想选择。

参数

最大漏源电压:400V
  连续漏极电流:9.5A
  导通电阻(Rds(on)):1.4Ω(最大值,在Vgs=10V时)
  输入电容:360pF
  总功耗:17W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

STD95N4LF3具备以下显著特性:
  1. 高击穿电压(400V),确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,支持高频应用。
  4. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内保持性能。
  5. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的鲁棒性。
  6. TO-220封装形式,便于散热设计和安装。
  这些特点使得STD95N4LF3特别适合于各种工业和消费类电子设备中的功率管理应用。

应用

STD95N4LF3广泛应用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  3. 各种负载切换应用,如电磁阀和继电器驱动。
  4. 逆变器和太阳能微逆变器中的关键组件。
  5. 电池充电器和保护电路中的功率调节单元。
  由于其出色的电气特性和可靠性,该器件在上述应用中表现出色,能够提供高效的功率转换和控制。

替代型号

STD95N4L, IRF840, BUZ11

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STD95N4LF3参数

  • 其它有关文件STD95N4LF3 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-8776-6