STD95N04 时间：2025/7/23 3:49:41 阅读：8

STD95N04是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。它适用于需要高效功率管理的多种应用，如电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备。该MOSFET采用TO-220或D2PAK等封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：95A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

STD95N04的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的沟槽栅技术不仅降低了Rds(on)，还改善了热管理和电流处理能力。
　　此外，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压额定为40V，适用于多种中低电压功率应用。其栅极设计支持±20V的栅源电压，提供了更大的设计灵活性和更强的抗干扰能力。
　　在热性能方面，该器件采用了优化的封装技术，确保在高电流负载下仍能保持稳定的工作温度。TO-220和D2PAK封装形式均具有良好的散热能力，适合高功率密度的应用场景。
　　STD95N04还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制电路，有助于减小外部元件尺寸并提高系统响应速度。

应用

该MOSFET广泛应用于各种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在汽车电子领域，它常用于电动车辆的电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）。在工业自动化中，该器件适用于高精度电机控制和功率调节模块。此外，它还可用于电源管理模块、UPS系统和太阳能逆变器等应用，提供高效的功率转换和控制能力。