ASC02R2 时间：2025/8/22 0:06:48 阅读：13

ASC02R2 是一款由 Advanced Monolithic Devices (AMD) 生产的双N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。ASC02R2 采用8引脚SOIC封装，适用于表面贴装工艺，适合紧凑型电源设计。

参数

类型：双N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：4A（单通道）
　　导通电阻（RDS(ON)）：70mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　功耗（PD）：3.2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：8引脚SOIC
　　引脚数量：8

特性

ASC02R2 是一款高效能的功率MOSFET，其采用先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(ON)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。在VGS为4.5V时，RDS(ON)的典型值仅为70mΩ，这使得该器件在低电压应用中表现尤为出色。此外，ASC02R2 的最大漏极电流为4A（单通道），足以应对大多数中低功率应用场景，如电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关电路。
　　该器件的栅极驱动电压范围为0V至12V，支持逻辑电平驱动，适用于由微控制器或其他数字控制器直接驱动的场景。ASC02R2 的热性能优异，8引脚SOIC封装提供了良好的散热能力，有助于在高负载条件下保持稳定的运行温度。
　　此外，ASC02R2 还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适用于工业级和汽车电子应用。该器件的表面贴装封装形式也使得它非常适合高密度PCB布局，简化了制造流程并降低了成本。