STD90NH02 时间：2025/7/22 8:34:44 阅读：12

STD90NH02是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性。STD90NH02广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：90A（最大值）
　　漏源极击穿电压（VDS）：20V
　　栅源极电压（VGS）：±10V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6、TO-220、TO-262等

特性

STD90NH02的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为4.5mΩ，使得其在高电流应用中表现出色。
　　此外，该MOSFET具有高电流承载能力，能够支持高达90A的漏极电流，适用于高功率密度设计。其20V的漏源极电压等级适合低压大电流应用，如服务器电源、电池管理系统和电动工具驱动器。
　　STD90NH02采用多种封装形式，包括PowerFLAT 5x6、TO-220和TO-262等，满足不同散热和空间限制需求。PowerFLAT封装具有良好的热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电路设计。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。内置的体二极管提供了反向电流保护，有助于提高系统可靠性和延长使用寿命。
　　STD90NH02的工作温度范围为-55°C至+175°C，适应工业级和汽车级应用环境。其±10V的栅源极电压限制确保了栅极驱动的稳定性，同时兼容常见的MOSFET驱动器电路。

应用

STD90NH02主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET能够提供高效率的电压调节，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。
　　该器件也广泛用于电机驱动器和负载开关中，支持高电流负载的快速切换。在电池管理系统中，STD90NH02可用于电池充放电控制，确保系统安全运行。
　　此外，STD90NH02还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和LED照明驱动器。其高可靠性和宽工作温度范围使其适合在汽车环境中使用。
　　由于其优异的导通特性和热性能，该MOSFET也常用于高性能电源管理模块和工业自动化设备中。