STD8N10L是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。其封装形式通常为TO-220或TO-252,适合在电源管理、电机驱动、负载切换等领域中使用。
STD8N10L的额定电压为100V,能够满足大多数中低压应用的需求。由于其出色的电气特性和散热性能,这款MOSFET被广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:8A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:73W(TO-220封装)
工作结温范围:-55℃至+150℃
栅极电荷:15nC(典型值)
输入电容:1040pF(典型值)
反向传输电容:26pF(典型值)
STD8N10L具有以下主要特性:
1. 高效的开关性能:较低的导通电阻有助于减少传导损耗,并提高整体效率。
2. 快速开关速度:较小的栅极电荷和反向传输电容使得该MOSFET能够在高频条件下运行。
3. 热稳定性强:能够在较宽的温度范围内稳定工作,适应多种环境条件。
4. 强大的过流能力:支持高达8A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
5. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保长期使用的可靠性。
这些特性使STD8N10L成为许多电力电子应用的理想选择。
STD8N10L可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC转换器中的同步整流电路。
3. 电池保护系统中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的电机驱动。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. LED驱动器和照明控制系统。
7. 电信设备中的电源调节电路。
由于其高性能和灵活性,STD8N10L几乎可以覆盖所有需要中低压功率开关的应用场景。
IRFZ44N
STP8NR10
FDP5600