STD882D 时间：2025/7/23 13:28:58 阅读：9

STD882D 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率的开关应用而设计，适用于各类电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动以及负载开关等。STD882D采用了先进的STripFET?技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和卓越的热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：180A
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：3.7mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：5.7mΩ
　　封装形式：TO-220

特性

STD882D具备多项优异特性，使其在高功率、高频率的应用中表现出色。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为3.7mΩ，而在VGS=4.5V时也保持在较低水平（5.7mΩ），支持其在低压驱动电路中的使用。
　　其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压（VDS）额定值为30V，能够适应多种中低压功率转换需求。同时，其最大连续漏极电流可达180A，适用于高电流负载应用。
　　此外，STD882D采用先进的STripFET?技术，优化了器件的热性能，使其在高功率密度设计中仍能保持稳定运行。其TO-220封装形式具备良好的散热能力，适用于通孔安装和高功率应用场景。
　　最后，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了其在开关过程中应对电压尖峰的能力，提高了系统可靠性。

应用

STD882D广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理领域，该器件适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，能够有效提升转换效率并降低系统损耗。在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，提供快速的开关响应和稳定的电流传输能力。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、电源分配单元（PDU）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和良好的热管理特性，STD882D也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。