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MIXG120W1200TEH 发布时间 时间:2025/8/5 21:38:16 查看 阅读:66

MIXG120W1200TEH 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高功率碳化硅(SiC)功率模块,专为高压、高电流和高效率的应用而设计。该模块采用先进的碳化硅技术,具有出色的热性能和可靠性,适用于工业电力转换、可再生能源系统和高功率密度设计。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:120A
  材料:碳化硅(SiC)
  封装类型:双列直插式(DIP)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  最大功耗:根据散热条件不同而异
  导通压降:典型值为 1.5V
  短路耐受能力:具备短路保护能力
  热阻:根据散热器条件不同而异

特性

MIXG120W1200TEH 模块具备多项优异的性能特性。首先,其采用碳化硅材料,使得器件在高温和高压环境下具有优异的导电性能和热稳定性,从而提高整体系统的效率。其次,模块设计优化了热管理能力,确保在高功率运行时保持较低的温升,延长设备的使用寿命。
  此外,MIXG120W1200TEH 支持高频开关操作,减少了能量损耗和外围元件的尺寸,特别适用于高频功率转换器和逆变器应用。其封装设计也增强了机械稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
  该模块还集成了过温、过流和短路保护功能,进一步提升了系统安全性。这些特性使其成为高可靠性工业设备和新能源应用的理想选择。

应用

MIXG120W1200TEH 主要应用于高功率电力电子系统,包括但不限于:工业逆变器、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、储能系统、不间断电源(UPS)以及高效率电源转换设备。其卓越的性能使其特别适用于对系统效率和可靠性要求极高的场景。

替代型号

MIXG120W1200TSC, CMF1200120JF, SCT3040KL

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MIXG120W1200TEH参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5 : ¥1,236.24200盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)186 A
  • 功率 - 最大值625 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)2 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)-
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E3
  • 供应商器件封装E3