您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STD86N3LH5

STD86N3LH5 发布时间 时间:2025/5/13 16:59:36 查看 阅读:6

STD86N3LH5是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款MOSFET功率晶体管,属于STPOWER系列。这款器件采用TO-220FP封装形式,适合用于高功率开关应用场合,例如电源适配器、电机驱动、工业电源等。它具有低导通电阻、高电流承受能力以及出色的热性能等特点。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:114A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:79nC
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

STD86N3LH5是一款高性能的N沟道功率MOSFET,其主要特点如下:
  1. 低导通电阻:仅为1.8mΩ,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力:可以承载高达114A的连续漏极电流,适用于大电流应用场景。
  3. 快速开关速度:由于栅极电荷较低(79nC),因此能够实现快速开关,从而降低开关损耗。
  4. 稳定性:在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
  5. 强大的散热设计:TO-220FP封装提供了良好的散热能力,使器件能够在高温环境下可靠运行。
  6. ESD保护:内置静电放电保护功能,提升了产品的可靠性。

应用

STD86N3LH5广泛应用于需要高功率密度和高效能转换的场景中,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块
  5. 太阳能逆变器
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  7. 其他高功率、高频开关电路

替代型号

IRF840,
  FDP5800,
  IXFK120N50T,
  STP80NF06

STD86N3LH5推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STD86N3LH5参数

  • 其它有关文件STD86N3LH5 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-8890-6