时间：2025/6/4 3:11:00
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STD85N3LH5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压功率MOSFET，属于MDmesh系列。这款器件采用TO-220封装形式，适合高效率、高频开关应用。其设计旨在优化导通电阻和栅极电荷，从而提升整体的系统效率。该MOSFET广泛用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器等应用中。
该器件具有出色的电气特性和热特性，能够在高温环境下保持稳定工作。此外，STD85N3LH5还具备低反向恢复电荷（Qrr）的特点，这对于减少开关损耗尤为重要。
最大漏源电压：850V
连续漏极电流：3A
导通电阻（典型值）：1.7Ω
栅极电荷：45nC
总电容（输入+输出）：300pF
反向恢复电荷：36nC
功耗：9W
工作温度范围：-55℃至+175℃
STD85N3LH5采用了先进的MDmesh技术，显著降低了器件的导通电阻，同时提高了散热性能。
其高击穿电压（850V）使其非常适合应用于高压环境，例如工业设备和汽车电子领域。低栅极电荷和反向恢复电荷有助于降低开关损耗，从而提高整体效率。
此外，STD85N3LH5在高温下的稳定性也是一大亮点，能够满足严苛的工作条件需求。这种MOSFET还具有快速开关能力，适用于高频电路设计。
STD85N3LH5主要应用于需要高压和高效能的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动和控制
- 工业逆变器
- 太阳能微逆变器
- 汽车电子系统中的高压开关
由于其出色的电气性能和可靠性，这款MOSFET特别适合对效率和耐用性要求较高的应用场合。
STD85N3LH6
STD80N3LH5
IRFB301PBF
