时间：2025/8/6 3:15:32
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MDMA85P1600TG是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管。该器件专为高功率、高频应用而设计，广泛用于电源转换器、电机控制、工业自动化和通信设备等领域。MDMA85P1600TG属于P沟道MOSFET，具备低导通电阻、高电流承载能力和高开关速度的特性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1600V
最大漏极电流（Id）：85A
导通电阻（Rds(on)）：约180mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约260nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-264
最大功耗（Pd）：约500W
漏源击穿电压（BVDSS）：1600V
栅源电压（Vgs）：±30V
MDMA85P1600TG具有多项优良的电气和热性能特性，使其适用于高功率密度和高频开关应用。首先，其1600V的漏源电压能力使其能够在高电压环境中稳定运行，适用于高压电源和工业设备。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值约为180mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，MDMA85P1600TG具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达85A，适合高功率负载的应用。
该器件采用了先进的沟槽栅技术，提升了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，其较大的栅极电荷（约260nC）虽然在高频应用中可能带来一定的挑战，但在适当的驱动条件下仍能实现良好的性能。MDMA85P1600TG的封装形式为TO-264，具备良好的散热能力，能够有效管理热量，确保器件在高负载条件下稳定运行。
此外，MDMA85P1600TG的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应性强，能够在恶劣环境中可靠运行。其最大功耗约为500W，进一步增强了其在高功率应用中的适用性。综合来看，这款MOSFET适用于需要高电压、高电流和高可靠性的电力电子系统。
MDMA85P1600TG广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和通信设备中的电源模块。其高电压和高电流能力使其成为高压电源和功率调节系统的理想选择。此外，由于其具备较高的开关速度和较低的导通电阻，该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效提高系统的能效和响应速度。在工业自动化领域，MDMA85P1600TG可用于控制高功率负载的电机驱动和电源管理电路。在通信基础设施中，它常用于基站电源和不间断电源（UPS）系统，以提供稳定的电力支持。
IXFH85N160P, IXFN85N160P, STP160N8F2AG
