时间：2025/5/13 16:58:49
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STD80N6F6 是一款 N 沱金属氧化物半导体场效应晶体管（N-Channel MOSFET），由 STMicroelectronics 生产。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于开关电源、电机驱动以及各种功率转换应用。
这款 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色，同时其坚固的结构也适合于工业和汽车环境下的使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：31nC
总耗散功率：175W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
STD80N6F6 提供了非常低的导通电阻（4.5mΩ），这有助于减少功率损耗并提高效率。
其高电流承载能力（80A）使其非常适合用于需要大功率输出的应用场景。
该器件的℃ 至 175℃）表明它能够在极端环境下可靠运行。
此外，STD80N6F6 具有快速开关性能，能够有效降低开关损耗，适用于高频功率转换器和逆变器。
该元器件广泛应用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、电动工具、电机控制、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化设备。
其强大的电流处理能力和低导通电阻特性使得 STD80N6F6 成为高效功率管理的理想选择。
IRFZ44N
STP80NF06
STL80NF6
