时间：2025/8/2 6:48:39
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SISA72DN-T1-GE3 是一款由 Vishay Semiconductor（威世科技）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的高频晶体管。该晶体管专为射频（RF）和高速开关应用设计，具有优异的高频响应和低噪声特性。SISA72DN-T1-GE3 采用 SOT-23 封装，适用于需要高性能和小尺寸封装的电子设备，如通信系统、无线模块、射频放大器和高速数字电路。该器件符合 RoHS 标准，适用于无铅焊接工艺。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
最大工作频率（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据电流和电压条件）
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 150°C
SISA72DN-T1-GE3 的主要特性之一是其高频性能，能够在高达 100MHz 的频率下保持良好的增益和稳定性，这使其非常适合射频放大和高速开关应用。此外，该晶体管具有低噪声系数，适用于需要高信号完整性的低噪声放大器设计。
该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，具体数值取决于工作电流和电压条件，因此可以灵活应用于多种电路设计中。SOT-23 封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理和电气性能。
SISA72DN-T1-GE3 的另一个优点是其在高温环境下的稳定性。它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在各种工业和汽车环境中使用。此外，该器件符合 RoHS 标准，确保其在环保制造过程中的兼容性。
由于其高性能和小尺寸封装，SISA72DN-T1-GE3 在无线通信、蓝牙模块、Wi-Fi 设备、RFID 阅读器和其他射频应用中得到了广泛应用。
SISA72DN-T1-GE3 主要用于射频（RF）和高速电子电路中。常见的应用包括射频放大器、低噪声放大器（LNA）、无线通信模块（如蓝牙、Wi-Fi、Zigbee）、RFID 阅读器、高频振荡器、混频器和高速开关电路。此外，它也适用于音频放大器、电压调节器和传感器接口电路。
在无线通信系统中，SISA72DN-T1-GE3 常用于射频前端设计，作为低噪声放大器来提高接收信号的灵敏度。在数字电路中，它可以作为高速开关使用，适用于需要快速响应的逻辑门和缓冲器电路。在工业控制和汽车电子中，该晶体管可用于传感器信号放大和驱动小型继电器或LED指示灯。
BC847系列, 2N3904, BFQ59, MMBC807-25
