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STD7NM60N 发布时间 时间:2025/7/23 6:30:19 查看 阅读:6

STD7NM60N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源转换器、电机控制、开关电源(SMPS)、LED照明、消费类电子产品以及工业自动化设备中。该MOSFET采用先进的技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力以及优异的热性能,适合高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):7A
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大1.2Ω(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值14nC
  输入电容(Ciss):典型值520pF
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK、TO-251等

特性

STD7NM60N具有多项显著的技术特性和优势。首先,其高耐压能力(600V VDS)使其适用于中高功率应用,如AC-DC转换器和电机驱动电路。其次,该器件的导通电阻较低,通常在1.2Ω以下,有助于降低导通损耗,提高整体能效。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和高耐久性,能够在高温环境下稳定工作,提升了系统的可靠性。
  该器件的栅极电荷(Qg)较低,意味着在开关过程中所需的驱动能量较少,从而降低了开关损耗,提高了系统的响应速度和效率。同时,其输入电容(Ciss)较小,也有助于减少高频工作下的开关损耗。
  STD7NM60N采用了先进的封装技术,提供良好的散热性能,能够在高电流条件下保持较低的温升。这种封装形式也便于安装和散热片的集成,进一步提升了其在实际应用中的适应性。
  此外,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,可以在异常工作条件下提供额外的安全保障,防止器件损坏。

应用

STD7NM60N主要应用于各种电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. **开关电源(SMPS)**:用于AC-DC或DC-DC转换器中的主开关元件,提供高效能的电源转换。
  2. **电机控制**:用于直流电机或无刷直流电机的驱动电路,控制电机的启停和调速。
  3. **照明系统**:用于LED驱动器或节能灯的电源管理电路中,提高光效并延长使用寿命。
  4. **消费电子产品**:如电视、音响设备、电源适配器等,作为高效能的功率开关元件。
  5. **工业自动化**:用于工业控制系统的电源管理模块,确保系统在高负载条件下的稳定运行。

替代型号

STF7NM60N, FQA7N60C, IRF7N60C, FDPF7NM60

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STD7NM60N参数

  • 其它有关文件STD7NM60N View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C900 毫欧 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds363pF @ 50V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-11042-6