H5PS1G163EFR-S6C 时间：2025/9/1 23:32:19 阅读：10

H5PS1G163EFR-S6C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于低功耗DDR3 SDRAM（LPDDR3）类别。该型号主要用于移动设备和嵌入式系统中，提供高带宽和低功耗特性，适合智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等应用。该芯片采用FBGA封装技术，具有较小的体积和较高的集成度，非常适合空间受限的应用场景。

参数

类型：LPDDR3 SDRAM
　　容量：1Gb（128MB）
　　数据宽度：16位
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：168
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　电源电压：1.2V
　　最大时钟频率：800MHz
　　最大数据速率：1600Mbps
　　工作模式：Burst Mode
　　封装尺寸：9.3mm x 11.5mm

特性

H5PS1G163EFR-S6C 是一款专为低功耗应用设计的LPDDR3 SDRAM芯片，其核心特性包括低电压运行（1.2V）、高数据传输速率（高达1600Mbps），以及高效的Burst Mode操作模式，确保了数据的高速存取。
　　该芯片采用先进的CMOS技术制造，具备良好的热稳定性和电气性能，能够在高温环境下稳定运行（最高可达85°C）。此外，H5PS1G163EFR-S6C 支持多种低功耗模式，如预充电功耗降低模式和自刷新模式，有助于在设备待机或低功耗状态下显著降低能耗。
　　为了适应移动设备对空间的严格要求，该芯片采用了紧凑的FBGA封装（168引脚），不仅减小了PCB布局空间，还提高了系统的整体集成度。其高带宽特性（16位数据总线和高达800MHz的时钟频率）使其能够满足高清视频、3D图形渲染和多任务处理等高性能需求。
　　此外，该芯片具备优异的抗干扰能力和稳定性，适用于对数据完整性要求较高的应用场合。其设计还支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在长时间运行中保持稳定，同时减少主控芯片的管理负担。

应用

H5PS1G163EFR-S6C 主要应用于需要高性能和低功耗的移动设备和嵌入式系统，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机、智能电视、车载娱乐系统等。其高带宽和低功耗特性使其成为需要大量数据处理和长时间电池续航设备的理想选择。
　　此外，该芯片也可用于工业控制系统、物联网（IoT）设备、网络通信设备以及消费类电子产品中的高速缓存或主存储器模块，以提升系统的整体响应速度和数据处理能力。