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STD65NF06 发布时间 时间:2025/7/22 22:56:52 查看 阅读:6

STD65NF06 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的StripFET?技术制造,具有低导通电阻和高电流处理能力。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景,适用于需要高效能和高可靠性的系统设计。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):65A
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ(最大值)
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STD65NF06 的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的热管理能力。其导通电阻仅为28mΩ,使得在大电流工作条件下,功率损耗显著降低,从而提高了整体系统效率。此外,该MOSFET采用先进的StripFET技术,优化了电场分布,提高了器件的耐压能力和稳定性。
  该器件的连续漏极电流能力为65A,适用于高功率应用。其最大漏源电压为60V,栅源电压范围为±20V,具备良好的栅极驱动兼容性。在热管理方面,该MOSFET的热阻较低,能够有效地将热量传导至散热器,确保在高温环境下依然保持稳定工作。
  封装方面,STD65NF06 提供多种选择,包括TO-220和D2PAK,便于用户根据具体应用需求进行布局和散热设计。TO-220封装适用于传统通孔焊接工艺,而D2PAK则适合表面贴装技术(SMT),提升生产效率并简化PCB设计。

应用

STD65NF06 主要用于需要高电流和低导通损耗的功率电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、负载开关以及工业自动化控制系统。在这些应用中,该MOSFET能够提供高效的能量转换,减少发热,提高系统可靠性和寿命。
  此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和起停系统等,满足汽车级对温度和可靠性的严苛要求。

替代型号

STP65NF06、IRFZ44N、IRF3710、FDP65N06、NDS65N06、FQP65N06

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STD65NF06参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-6023-6