时间：2025/12/24 4:45:48
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STD65N55F3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沤道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TOLL 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于工业、汽车和消费类电子中的开关电源、电机驱动和负载切换等应用。这款 MOSFET 具有较高的雪崩击穿电压，可确保在恶劣环境下稳定运行。
STD65N55F3 的设计旨在提供卓越的电气性能和可靠性，同时减少系统的能耗和发热问题。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：55A
导通电阻（典型值）：0.042Ω
栅极电荷（典型值）：285nC
总功耗：210W
工作结温范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TOLL
STD65N55F3 提供了优异的电气性能和热性能。其主要特点包括以下：
1. 高雪崩击穿能力，增强了器件在瞬态条件下的耐受性。
2. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够减少开关损耗并提升高频应用的表现。
4. 采用 TOLL 封装，具有良好的散热特性和简化的设计布局。
5. 广泛的工作温度范围，适应于各种严苛的应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
STD65N55F3 主要用于需要高电压、大电流的功率转换和控制场景，具体包括：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器和工业电源。
2. 电机驱动，特别是电动汽车和工业自动化中的应用。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率调节。
4. LED 照明驱动电路。
5. 各种类型的负载切换和保护电路。
6. 工业设备中的高压功率管理模块。
STD65N50F3
IRFP260N
IXYS GES300N65A1
FDP150N65SBD
