类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.2Ω（最大1.5Ω）
　　功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK等

PFU2N65具有多项优良特性，首先是其高耐压能力，漏源电压可达650V，使其适用于高压电源转换系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，RDS(on)最大为1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，便于与多种驱动电路兼容。PFU2N65还具备快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频开关应用。由于采用了先进的平面制造工艺，其可靠性和耐用性较高，适合工业级和汽车电子应用。
　　另外，PFU2N65的封装设计有利于散热，如TO-220封装具有良好的热导性能，可有效将热量传导至散热片。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用。在短路或过载情况下，其电流限制特性可避免器件损坏，提升系统的稳定性与安全性。

PFU2N65广泛应用于多种电力电子系统中，包括AC-DC开关电源、DC-DC升压/降压转换器、LED驱动电路、电机控制模块、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关部分。其高压耐受能力和低导通电阻也使其适用于家用电器中的电源管理模块，例如微波炉、电饭煲、变频空调等。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，PFU2N65也能发挥良好的性能。由于其具备较高的可靠性，也被广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统等。

FQP2N65, IRF840, 2SK2141, STX2N65K5