STD65N3LLH5 时间：2025/7/23 21:22:54 阅读：17

STD65N3LLH5 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的STripFET? F5技术制造。该器件专为高效能电源转换和功率管理应用设计，具有极低的导通电阻、高耐压能力和卓越的热性能。适用于如电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化设备等高要求的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：65A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大12.5mΩ @ VGS = 10V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.5V ~ 4V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
　　安装类型：表面贴装

特性

STD65N3LLH5 采用STMicroelectronics的最新STripFET? F5技术，具有出色的电气性能和热管理能力。其主要特性包括：极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率；高耐压设计（100V VDS），使其适用于广泛的电源应用；具备高电流承载能力（65A ID），适用于高功率密度设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，同时具备较高的抗雪崩能力，提高系统稳定性与可靠性。此外，其先进的封装技术（PowerFLAT 5x6 HV）不仅提高了散热效率，还减少了封装电阻和电感，进一步优化高频开关性能。
　　在可靠性方面，STD65N3LLH5表现出优异的长期稳定性，支持在极端温度环境下（-55°C至175°C）正常工作，适合用于工业级和汽车级电子系统。综合这些特性，该MOSFET是高效率电源转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路的理想选择。

应用

STD65N3LLH5 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中，包括但不限于：电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制设备、电信基础设施设备以及电动汽车相关电源系统。由于其低导通电阻和高电流处理能力，特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计。