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JX2N2448 发布时间 时间:2025/9/3 17:03:19 查看 阅读:16

JX2N2448 是一款由 JX(品牌名)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于电源管理和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性,适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及其他高效率功率电路。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):最大 30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):连续最大 10A
  导通电阻(Rds(on)):典型值 0.035Ω(在 Vgs=10V 时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

JX2N2448 MOSFET 具有低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。其高电流承载能力使其适用于中高功率应用,如电源开关和马达控制。该器件还具备良好的热稳定性和快速开关能力,有助于减少开关损耗并提高响应速度。此外,JX2N2448 的封装形式(TO-252)有助于散热,适用于表面贴装工艺,提高了 PCB 布局的灵活性。该 MOSFET 在设计上符合 RoHS 环保标准,适合现代电子制造的需求。
  该器件还具备较高的耐用性和可靠性,能够在恶劣环境下稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 到 20V 的栅极电压输入,这使得它可以与多种类型的驱动电路兼容,包括常见的 5V 和 12V 控制系统。此外,JX2N2448 的内部结构优化了电场分布,提高了器件的雪崩击穿耐受能力,从而增强了在高压瞬态条件下的稳定性。

应用

JX2N2448 常用于多种功率电子系统中,包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器和工业自动化控制系统。其高效率和高可靠性的特点使其成为电源管理和功率控制电路中的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, FDP3632, Si4440DY

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